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產(chǎn)品中心萬(wàn)用表&功率計(jì)&測(cè)溫儀5.泰克2600-PCT-1B泰克2600-PCT-1B參數(shù)曲線跟蹤儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
泰克2600-PCT-1B參數(shù)曲線跟蹤儀開(kāi)發(fā)和使用 MOSFET、IGBT、二極管和其他大功率器件，需要全面的器件級(jí)檢定，如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測(cè)量。 Keithley 高功率參數(shù)化波形記錄器系列的配置支持所有的設(shè)備類型和測(cè)試參數(shù)。 Keithley 參數(shù)化波形記錄器配置包括檢定工程師快速開(kāi)發(fā)全面測(cè)試系統(tǒng)所需的一切。
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相關(guān)文章| 品牌 | 泰克 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
泰克2600-PCT-1B參數(shù)曲線跟蹤儀
高性能器件特性分析
開(kāi)發(fā)和使用MOSFETS、IGBTs、二極管及其他高功率器件要求完善的器件級(jí)特性分析，如擊穿電壓、開(kāi)態(tài)電流和電容測(cè)量。吉時(shí)利一系列高功率參數(shù)曲線跟蹤儀配置支持全系列器件類型和測(cè)試參數(shù)。吉時(shí)利參數(shù)曲線跟蹤儀配置包括特性分析工程師迅速開(kāi)發(fā)完整的測(cè)試系統(tǒng)所需的一切。ACS基本版軟件提供了完整的器件特性分析，包括實(shí)時(shí)跟蹤模式及全部參數(shù)模式，實(shí)時(shí)跟蹤模式用來(lái)迅速檢查基礎(chǔ)器件參數(shù)， 如擊穿電壓；全部參數(shù)模式用來(lái)提取精確的器件參數(shù)。ACS基本版超越了傳統(tǒng)曲線跟蹤儀接口的能力，提供了廣泛的一系列樣本庫(kù)。更重要的是，用戶可以全面控制所有測(cè)試資源，創(chuàng)建以前在曲線追蹤儀上不能26實(shí)00現(xiàn)-P的C更T-先4B進(jìn)型的，測(cè)試。
分析各種功率器件類型的電特性，包括：
| MOSFET | IGBT | Triac | 電阻器 |
| BJT | 二極管 | 電容器 | 等等... |
分析各種功率器件類型的電特性，包括：
| 擊穿電壓 (Bvdss, Bvceo) | 漏極/集電極泄漏 (Idss, Ir/Icbo,Iceo) | 閾值或截止電壓 (Vth, Vf, Vbeon) | 電容 (Ciss, Coss, Crss) |
| 開(kāi)態(tài)電流 (Vdson, Vcesat, Vf) | 機(jī)極/基極泄漏 (Igss, Ib) | 正向傳輸 (yfs, Gfs, Hfe, gain) | 等等... |
吉時(shí)利參數(shù)曲線跟蹤儀同時(shí)支持封裝部件測(cè)試和晶圓級(jí)測(cè)試。
主要特點(diǎn):
應(yīng)用
吉時(shí)利參數(shù)曲線跟蹤儀同時(shí)支持封裝部件測(cè)試和晶圓級(jí)測(cè)試。
吉時(shí)利參數(shù)曲線跟蹤儀配置是完整的特性分析工具，包括功率器件分析所需的主要要素。測(cè)量通道包括吉時(shí)利數(shù)字源表®源測(cè)量單元(SMU)儀器和選配的多頻率電容-電壓(C-V) 表。這些儀器的動(dòng)態(tài)范圍和準(zhǔn)確度比傳統(tǒng)曲線跟蹤儀高出若干量級(jí)。
完整的系統(tǒng)附件
為了實(shí)現(xiàn)這種性能，吉時(shí)利公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一系列高精密電纜，實(shí)現(xiàn)與吉時(shí)利8010型高功率器件測(cè)試夾具或8020型高功率接口面板的連接，前者用于封裝部件測(cè)試，后者用于晶圓級(jí)測(cè)試。對(duì)于高電壓通道，定制三軸電纜可以提供保護(hù)路徑，支持快速穩(wěn)定和超低電流，包括在3kV全高壓情況下。對(duì)于高電流通道，低電感電纜可以提供快速上升時(shí)間脈沖，使器件自熱效應(yīng)達(dá)到小。
高壓電容-電壓(C-V)
測(cè)試器件電容相對(duì)DC電壓的關(guān)系正變得越來(lái)越重要。吉時(shí)利提供了PCT-CVU型多頻率電容電壓表。在與選配的200V或3kV偏置T型裝置結(jié)合使用時(shí)，可以在兩端子、三端子或四端子器件上測(cè)量電容相對(duì)電壓的關(guān)系?？梢詼y(cè)量從pF到100nF的電容，支持10kHz ~ 2MHz的測(cè)試頻率。ACS基本版軟件提供了60多種內(nèi)置C-V測(cè)試，包括MOSFET Ciss、Coss、Crss、Cgd、Cgs、Cds及全套其他器件，如BJTs和二極管。一如既往，用戶可以實(shí)現(xiàn)全面控制，在ACS基本版軟件中開(kāi)發(fā)自己的測(cè)試算法。
| 配置選型指南 | |||||
| 型號(hào)1 | 集電極/漏極電源2 | 階躍發(fā)生器基極/柵極電源 | 輔助電源 | ||
| 高壓模式 | 高流模式 | ||||
| 低功率 | 2600-PCT-1B | 200 V/10 A | 200 V/10 A | 200 V/10 A | N/A |
| 高流 | 2600-PCT-2B | 200 V/10 A | 40 V/50 A | 200 V/10 A | 200 V/10 A |
| 高壓 | 2600-PCT-3B | 3 kV/120 mA 200 V/10 A | 200 V/10 A | 200 V/10 A | |
| 高流和高壓 | 2600-PCT-4B | 3 kV/120 mA 40 V/50 A | 200 V/10 A | 200 V/10 A | |
1.關(guān)于定制配置，請(qǐng)與吉時(shí)利現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師聯(lián)系。
2. 通過(guò)添加2651A型號(hào)，可以將高電流模式增加到50A或100A。
3. 可以在任何配置中增加PCT-CVU多頻率電容表。
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件，適用于組件與分立器件
ACS基本版本軟件是專為利用吉時(shí)利儀器的高性能能力而開(kāi)發(fā) 的，它包括幾個(gè)履行常見(jiàn)高功率器件測(cè)試的樣本庫(kù)。與其他系 統(tǒng)不同的是，該軟件在測(cè)量通道配置方面，給用戶帶來(lái)幾乎不 受限制的靈活性，可以創(chuàng)建傳統(tǒng)曲線跟蹤儀無(wú)法實(shí)現(xiàn)的測(cè)試。
多測(cè)試模式允許對(duì)一個(gè)器件進(jìn)行多項(xiàng)測(cè)試。
跟蹤模式支持器件的交互測(cè)試。
與傳統(tǒng)曲線跟蹤儀相比，PCT圖形提供了高分辨率屏幕數(shù)據(jù)分析功能、完整的圖形定制能力，并能夠簡(jiǎn)便地報(bào)告到任何字處理軟件或報(bào)告軟件。
泰克2600-PCT-1B參數(shù)曲線跟蹤儀
典型功率晶體管參數(shù)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試方法1 | 大量程 | 典型*分辨率 | 典型精度 |
| 擊穿電壓 | Bvdss, Bvceo | Id-Vd或Id(脈沖) | ±3000 V2 | 100 µV, 10 fA | 0.05% rdg + 0.05% rng |
| 開(kāi)態(tài)電流(直流) | Vdson, Vcesat, Vf | Id–Vd | ±204 ，可選：±40A4 | 100 nA, 1 µV | 0.05% rdg + 0.05% rng |
| 開(kāi)態(tài)電流(脈沖) | Vdson, Vcesat, Vf | Id–Vd | ±50A4，可選：±100A4 | 100 µA, 1 µV | 0.05% rdg + 0.05% rng |
| 漏極/集電極漏電流 | Idss, Ir/Icbo, Iceo | Id–Vd | ±20 mA @ 30002, 5 | 10fA, 1µV | 0.2% rdg + 1% rng |
| 柵極/基極漏電流 | Igss, Ib | Ig–Vg | ±1A或±10 A脈沖3 | 10 fA, 1 µV | 0.2% rdg + 1% rng |
| 開(kāi)態(tài)閾值電壓或截止電壓 | Vth,Vf,Vbeon,Vcesat | Id–Vg | ±200V3 | 10fA,1µV | 0.2% rdg + 0.5% rng |
| 正向傳輸導(dǎo)納或正向跨導(dǎo) | |yfs| Gfs, Hfe, gain | Vd–Id@Vds | 1 ms ～1000s6 | 1 pA, 1 µV | 1% |
| 開(kāi)態(tài)電阻 | RDS(on), Vcesat | Vd–Vg@ Id | <100μΩ7 | 10μQ，1μV | 1% |
| 輸入電容 | Ciss | C–V 100 kHz | 100 nF 8±3 kV | 10 fF, 100 µV | 典型值5%+2pF |
| 輸出電容 | Coss | C–V 100 kHz | 100 nF 8±3 kV | 10 fF, 100 µV | 典型值5%+2pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | C–V 100 kHz | 100 nF 8±3 kV | 10 fF, 100 µV | 典型值5%+2pF |
1. 用于提取參數(shù)的測(cè)試方法。僅列出典型MOSFET，其他器件使用的方法類似。
2. 2657A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器。
3. 2636B型數(shù)字源表或4210型源測(cè)量單元（SMU）儀器。
4. 2651A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器或者可選擇雙2651A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器。
5. 在3000V電壓時(shí)大電流20mA，在1500V電壓時(shí)大電流120mA。
6. 典型提取能力(示例: 1mA/1V ～ 1A/1mV)。
7. 典型提取能力(示例: 1mV/10A)。
8. 使用PCT-CVU和CVU-3K-KIT時(shí)，大±200V直流 (±3kV)偏置。
8010高功率器件測(cè)試夾具
8020高功率接口面板
高電流、低電感電纜
高電壓、低噪聲三同軸電纜
2600-PCT-4B型，帶有8010型測(cè)試夾具
典型測(cè)試簡(jiǎn)介
| 器件 | 泄漏 | 擊穿 | 增益 | 開(kāi)態(tài) |
| 雙極型晶體管 | IEBO, IECO, IEVEB, ICVCB | BVCBO, BVCEI, BVCEO, BVCEV, BVEBO, BVECO | HFE | IBCO, IBEO, IBICVBE, IBVBE, ICBO, ICEV, ICVCE_BiasIB, ICVCE_BiasVB, ICVCE_StepIB, ICVCE_StepVB, VBCO, VCE |
| MOSFET | IDL, IDS_ISD, IGL, ISL | BVDSS, BVDSV, BVGDO, BVGDS, BVGSO | GM | IDVD_BiasVG, IDVD_StepVG, IDVG_BiasVD, IDVG_StepVD, IDVG_StepVSUB, IGVG, VTCI, VTEXT, VTEXT_IISQ |
| 二極管 | IRDVRD | VBRIRD | NA | DYNAMICZ, IFDVFD, VFDIFD, VRDIRD |
| 電阻器 | NA | NA | NA | IV |
| 電容器 | IV | Ciss, Coss, Crss, Cgd, Cds, Cgs | NA | Independent bias on up to 4 terminals. |
公式函數(shù)簡(jiǎn)介
類型
算術(shù)
ABS, AVG, DELTA, DIFF, EXP, LN, LOG, LOG10, SQRT
參數(shù)提取
GMMAX, RES, RES_4WIRE, RES_AVG, SS, SSVTCI, TTF_ DID_LGT, TTF_LGDID_T, TTF_DID_T, TTF_LGDID_LGT, VTCI, VTLINGM, VTSATGM
擬合
EXPFIT, EXPFITA, EXPFITB, LINFIT, LINFITSLP, LINFITXINT, LINFITYINT, REGFIT, REGFITSLP, REGFITXINT, REGFITYINT, REGFIT_LGX_LGY, REGFIT_ LGX_Y, REGFIT_X_LGY, TANFIT, TANFITSLP,TANFITXINT, TANFITYINT
操作
AT, FINDD, FINDLIN, FINDU, FIRSTPOS, JOIN, LASTPOS, MAX, MAXPOS, MIN, MINPOX, POW, SMOOTH
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